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詳細(xì)介紹ORTEC提供各種耗盡厚度的硅面壘型探測(cè)器，可滿(mǎn)足眾多研究應(yīng)用的需求。
*所有分辨率測(cè)量均在21±1°C下執(zhí)行和保證。
**用5.486-MeV天然α粒子測(cè)量。
| A 系列 | B 系列 | |
| 主要應(yīng)用 | 高分辨率帶電粒子光譜測(cè)量（核物理與放射化學(xué) ，空間物理學(xué)） | 粒子識(shí)別、望遠(yuǎn)鏡探測(cè)器（核物理與放射化學(xué)，空間物理學(xué)） |
| 探測(cè)器類(lèi)型 | 部分耗盡的硅面壘 | 全耗盡的硅面壘 |
| 初始材料 | Si | Si |
| 有效面積范圍 (mm2) | 25-450 | 50-450 |
| 有效厚度范圍 (µm) | 1000-2000 | 150-2000 |
| 保證工作溫度范圍* | +25°C 至 | +25°C 至 |
| 二極管結(jié)構(gòu) | 金 - N型硅鋁部分耗盡 | 金 - N型硅鋁全耗盡 |
| 標(biāo)稱(chēng)等效** 窗口的截止能量 | 入口 | 入口 |
| C 系列 | D 系列 | |
| 主要應(yīng)用 | 從準(zhǔn)直光源或光束的反向散射 - 角度相關(guān)測(cè)量（核物理） | 重離子的飛行時(shí)間測(cè)量（核物理） |
| 探測(cè)器類(lèi)型 | 環(huán)形部分耗盡的硅面壘 | 平面全耗盡的硅面壘 |
| 初始材料 | Si | Si |
| 有效面積范圍 (mm2) | 50-450 | 10-450 |
| 有效厚度范圍 (µm) | 100-1000 | 15-100 |
| 保證工作溫度范圍* | 25°C 至 | 10°C 至 |
| 二極管結(jié)構(gòu) | 金 - N型硅鋁部分耗盡 | 金 - N型硅鋁全耗盡平面 |
| 標(biāo)稱(chēng)等效** 窗口的截止能量 | 入口 | 入口 |
| F 系列 | R 系列 | |
| 主要應(yīng)用 | 重離子譜測(cè)量（核物理學(xué)） | 可在空氣和環(huán)境光下進(jìn)行的帶電粒子譜測(cè)量 |
| 探測(cè)器類(lèi)型 | 部分耗盡的硅面壘 | 加固型部分耗盡硅 |
| 初始材料 | Si | Si |
| 有效面積范圍 (mm2) | 100-900 | 50-2000 |
| 有效厚度范圍 (µm) | ≥60 | 100-500 |
| 保證工作溫度范圍* | +25°C 至 | +25°C 至 |
| 二極管結(jié)構(gòu) | 金 - N型硅鋁部分耗盡高場(chǎng)強(qiáng) | 鋁 - P型硅金部分耗盡 |
| 標(biāo)稱(chēng)等效** 窗口的截止能量 | 入口 | 入口 |
